ក្រុមហ៊ុន Samsung បានចាប់ផ្តើមការផលិតបន្ទះឈីបទំហំ 3nm ជំនាន់ទី១ ហើយ

ក្រុមហ៊ុន Samsung Foundry បានធ្វើការប្រកាសថា ខ្លួនបាននឹងកំពុងចាប់ផ្តើមការផលិតដ៏ធំនៃបន្ទះឈីបទំហំ 3nm node ជំនាន់ទី១ របស់ខ្លួន។ បន្ទះឈីបថ្មីនេះ ផ្អែកទៅលើស្ថាបត្យកម្មត្រង់ស៊ីស្ទ័រ GAA (Gate-All-Around) ថ្មី ដែលជាការបោះជំហានបន្ទាប់ពី FinFET។

បើប្រៀបធៀបទៅនឹងបន្ទះឈីបទំហំ 5nm របស់ក្រុមហ៊ុន Samsung ឈីបថ្មីទំហំ 3nm ជំនាន់ទី១ នេះ គឺជាការបង្កើននូវល្បឿន Performance ឱ្យលឿនជាងមុនរហូតដល់ទៅ 23% គួបផ្សំជាមួយនឹងការកាត់បន្ថយការប្រើប្រាស់ថាមពល 45% និងការកាត់បន្ថយផ្ទៃប្រើប្រាស់ 16%។

សម្រាប់បន្ទះឈីបទំហំ 3nm ជំនាន់ទី២ របស់ក្រុមហ៊ុន Samsung វិញ អាចនឹងនាំមកជាមួយគុណសម្បត្តិដែលគួរឱ្យចាប់អារម្មណ៍បន្ថែមទៀត តួយ៉ាងដូចជាការបង្កើនល្បឿន Performance ឡើងទៅ 30%, ការកាត់បន្ថយការប្រើប្រាស់ថាមពលដល់ 50% និងការកាត់បន្ថយផ្ទៃប្រើប្រាស់ដល់ 16% ជាដើម។

ឥឡូវនេះ ក្រុមហ៊ុន Samsung បាននាំមុខក្រុមហ៊ុនផលិតបន្ទះឈីបរបស់ប្រទេសតៃវ៉ាន់ TSMC ហើយ ដោយយើងអាចរំពឹងបានថា ក្រុមហ៊ុន Samsung នឹងបើកការផលិតបន្ទះឈីបទំហំ 3nm ខ្នាតធំនៅក្នុងត្រីមាសទី២ នៃឆ្នាំនេះ៕

ប្រភព៖ GSMArena